1. Комбинированная технология магнетронного распыления и газофазной эпитаксии совершенных пленок карбида кремния, III-нитридов, их твердых растворов для получения эффективных светоизлучающих гетероструктур высокой мощности.
Разработана технология производства инновационной продукции – низкодефектных гетероподложек карбид кремния на кремниевой основе, получены светоизлучающие структуры на их основе.
Охват - рынок производства сверхярких светодиодов.
Следующий этап – промышленное производство, котороев перспективе позволит повысить импортозамещение в стране на 5-20%.
Цель:
Создание технологических основ получения мощных светоизлучающих диодов ультрафиолетовой и видимой области, пьезоэлектрических кристаллов, суперконденсаторов, расширение производства элементов электроники на основе тонкопленочных структур материалов: карбид кремния, III нитриды, феррит висмута, аллотропные модификации углерода, включая декантер.
Предлагается:
• создать гибридную структуру, где в качестве основания для светодиодов используются недорогие подложки кремния;
• получать на них покрытия из карбида кремния.
Продукция:
Сверхяркие светоизлучающие диоды, ультрафиолетовые диоды, диоды Шоттки, солнечные батареи на основе многослойных структур, суперконденсаторы для электромобилей и телефонов, ячейки памяти нового поколения на основе феррита висмута, гибридные подложки для электронных компонент. Новые технологии производства тонкопленочных покрытий.



2. Наноструктурные материалы.



3. Атомно-слоевое осаждение AlN с использование трис(диэтиламидо)алюминия и аммиака или гидразина.
Совместный проект который был реализован сотрудниками ДГУ и Колорадского университета в Боулдере.



4. Технология синтеза микрокристаллов теллура для изготовления приборных структур.
ПРОДУКТ:
-Технология синтеза микрокристаллов теллура: микропластинки(толщина - 1-100 мкм, пл.- неск. кв. мм.); нитевидные кристаллы(длина – до 1 см, диаметр – 1- 100 мкм); полые нитевидные кристаллы (микротрубки) (длина до 1 см, диаметр – 1- 100 мкм, толщина стенки 1-10 мкм).
ОПИСАНИЕ БАЗОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ:
-Ключевая особенность технологии – использование водорода длятермохимической активации процессов кристаллизации теллура,что позволяет получать микрокристаллы высокого структурного совершенства.
КОНКУРЕНТНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА:
-За рубежом идут интенсивные исследования по синтезу нитевидных кристаллов (вискеров) теллура, в основном, методами«мокрой» химии с целью создания на их основе приборныхструктур. Наша технология осаждения из газовой фазы позволяет сохранить высокую чистоту исходных материалов, а хорошая управляемость процесса кристаллизации в равновесных условияхдает возможность синтеза микрокристаллов теллура с необходимыми геометрическими размерами.
ЦЕЛЕВОЙ РЫНОК:
-Конечным продуктом разрабатываемой технологии являютсямикрокристаллы теллура, на базе которых методами микротехнологии могут быть изготовлены активные приборныеструктуры (элементы функциональной электроники, МЭМС, датчикигазов и др.). Большие перспективы имеют газовые датчики на основе микротрубок теллура. При этом ключевые параметрыдатчиков (чувствительность, быстродействие, малые габариты иэнергопотребление) повышаются по сравнению тонкопленочными аналогами.
БИЗНЕС МОДЕЛЬ:
-Разрабатывается и конструируется новое оборудование набазе Дагестанского государственного университета (ДГУ,г. Махачкала, Россия) с учетом зарубежного опыта и потребительского спроса. На данный момент смонтированаустановка с ручным управлением параметрами кристаллизации.
СОСТОЯНИЕ РАЗРАБОТКИ/ СТАДИЯ ПРОЕКТА:
-Предложен метод (получен патент) кристаллизации. Проведены пробные эксперименты, демонстрирующие потенциальные возможности метода на самодельной установке с ручным управлением параметрами кристаллизации.
КОМАНДА ПРОЕКТА: (Только ключевые)
Муртазали Рабаданов (ДГУ), Абубакар Исмаилов (ДГУ)
ПОТРЕБНОСТЬ В ФИНАНСИРОВАНИИ:
-5 млн. руб. В рамках проекта планируется отработать технологиювоспроизводимого получения микрокристаллов теллура с заранеезаданными геометрическими размерами. Необходимомодернизировать (автоматизировать) основные узлы ростовойустановки с целью исключения человеческого фактора в технологии(обязательное условие для достижения воспроизводимыхрезультатов). Имеется необходимость в приобретении расходныхматериалов (теллур, водород) более высокой чистоты.



5. Оборудование для атомно- и молекулярно-слоевого осаждения функциональных тонких пленок для производства элементов микроэлектроники.
ПРОДУКТ
•Аппарат для нанесения тонких неорганических пленок диэлектриков, полупроводников и металлов методом атомно-слоевого осаждения и органических и гибридных пленок методом молекулярно-слоевого осаждения.
ОПИСАНИЕ БАЗОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ
•Технологии напыления тонких пленок основана на проведение попеременных химических реакций на поверхности напыляемой подложки что позволяет осаждать функциональные тонкие пленки с контролем толщины до 0.1нм (1нм = 10-9м) в глубоких траншеях.
КОНКУРЕНТНТЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА
•Компаний по производству оборудования для осаждения тонких АСО и МСО пленок в России отсутствует. Российский рынок АСО принадлежит иностранным компаниям. Стартовая цена базовой модели такого оборудование составляет 150 тыс. евро. Наша цель наладить производство оборудования и услуг лучшего качества по значительно низким ценам.
ЦЕЛЕВОЙ РЫНОК
•Производители процессоров, флэш памяти, чувствительных ко внешним воздействиям плат.
БИЗНЕС МОДЕЛЬ
•Оборудование разрабатывается совместно Американской стартап компанией ALDCERAM (Bolder, CO, USA) в кооперации с Дагестанским Государственным Университетом (ДГУ, г. Махачкала, Россия). Зарубежной компанией представляются консультантские услуги по технологиям АСО и МСО на основе которой в ДГУ конструируется, изготовляется, собирается и тестируется оборудование для заказчика. ДГУ также проводится научно-исследовательская или сервисная работа по напылению АСО и МСО пленок по желанию заказчика.
СОСТОЯНИЕ РАЗРАБОТКИ/ СТАДИЯ ПРОЕКТА
•Разработан первый аппарат для напыления АСО и МСО пленок на кремневых подложках размером 200мм который успешно эксплуатируется на Физическом факультете в Дагестанского Государственного Университета. В стадии разработки находится установка для напыления 76 мм кремниевых подложек партиями.
КОМАНДА ПРОЕКТА (Только ключевые)
•АзизАбдулгатов (ДГУ и ALDCЕRAM (США)),
ИльмутдинАбдулагатов (ДГУ),
НазирАшурбеков (ДГУ)
ПОТРЕБНОСТЬ В ФИНАНСИРОВАНИИ
•10 млн. рублей. Электронная промышленность всегда была локомотивом развития этой технологии в мире которая теперь уже вносит значительный вклад в развитие других важнейших отраслей как литий-ионные батареи, катализ, эластичная электроника, сверхчувствительные детекторы, ювелирная промышленность и т.д.. В этом случае мы надеемся на понимание важности диверсификации и развития в России высокотехнологичной отрасли вакуумного оборудования для электронной промышленности.



6. Технология получения диметилсульфона.
Автор: Хидиров Ш.Ш.
Область применения:
Проект относится к области технологии серосодержащих органических соединений, в частности диметилсульфона, который может быть использован в производстве красителей, лекарственных средств, полиакриленсульфонов, в качестве растворителя для полиакрилонитрила и т.п.
Описание:
Сущность предлагаемой технологии заключается в том, что проводят электролиз диметилсульфоксида в водных растворах NaOH в бездиафрагменном электролизере при определенных плотностях анодного тока.
Преимущества:
• синтез можно проводить без использования дорогих реактивов и сильных окислителей, а также токсичных растворителей;
• получение диметилсульфона высокой чистоты без осуществления большого числа операций;
• возможность осуществления электросинтеза непрерывно с автоматическим контролем процесса.
Правовая защита: патент № 2377235.



7. Технология получения фосфорной кислоты.
Авторы:
Алиев З.М., Шапиев Б.И. Область применения:
Проект относится к области технологии неорганических веществ, в частности, к способам получения фосфорной кислоты и может быть использовано как один из способов сжигания фосфора, очистки его от шламов и обезвреживания при аварийных ситуациях.
Техническая характеристика:
Технология получения фосфорной кислоты путем нагревания расплавленного загрязненного шламом фосфора и его сжигания с последующей гидратацией, отличается тем, что процесс проводят в автоклаве, в который после нагревания до 600 фосфора со шламом, подают кислородпод избыточным давлением, затем происходит поглощение пятиокиси фосфора водой до образования фосфорной кислоты, а шлам откладывается во внутренней емкости.
Преимущества:
• получение высокой чистоты фосфорной кислоты;
• экологическая чистота процесса;
• полная утилизация фосфора.
Правовая защита: патент №2443622.
Проект внедрен на Кизилюртовском заводе фосфорных солей с экономической эффективностью 4,5 млн. рублей.



8. Гибридные функциональные нанопокрытия для медицины и экологии.
Проект направлен на разработку технологии и изучение фундаментальных основ процесса прецизионного синтеза ряда тонких пленок диоксида титана (TiO2), легированных и со-легированных атомами ванадия, азота или углерода методами атомно- и молекулярно-слоевого осаждения (АСО и МСО). Легирование проводится с целью усиления фотокаталитической активности TiO2 в видимой части светового спектра.
Предполагается синтезировать плотные покрытия, как на гладких, так и на пористых (объемных) подложках. В отличие от функциональных тонких пленок, полученных традиционными методами жидкофазного и газофазного осаждения, тонкие пленки, полученные методами АСО и МСО, как предлагается в проекте, обладают рядом преимуществ, в числе которых, высокая однородность покрытий, полная конформность при осаждении на подложках со сложной топографией, низкий уровень дефектности пленок и относительно низкая температура осаждения (в данном проекте от 115 до 275оС). Низкие температуры осуществления процесса позволят внедрить процессы осаждения в непрерывном режиме на температурно-чувствительных полимерах и тканях.
Значительная часть работы сосредоточена на изучении фотокаталитических и антибактериальных свойств синтезированных пленок при различных световых режимах.
В проекте будут детально изучены фундаментальные аспекты связи состава/структуры пленок с их свойствами для расширения возможности манипулирования свойствами получаемых покрытий для решения прикладных задач.
Кроме того, в проекте предполагается получение равномерных покрытий с контролируемым химическим и фазовым составом и нанометровой регулируемой толщиной на каталитических мембранах, поверхностях со сложной топографией методами АСО и МСО.
Полученные покрытия могут быть использованы как самодезинфицирующиеся покрытия в медицине, пищевой промышленности, в качестве катализаторов для удаления и обезвреживания токсичных биохимических и органических отходов различных производств с использованием солнечного света в качестве источника энергии.
Авторы:
Абдулагатов А.И., Оруджев Ф.Ф., Абдулагатов И.М., Рамазанов Ш.М.



9. Разработка функциональных структур на основе нанослоя ферита висмута для устройств резистивной памяти.
Настоящий проект направлен на решение нескольких взаимосвязанных задач, которые являются важными шагами в направлении к конечной цели - созданию адаптивных функциональных наноструктур, обеспечивающих возможность управления спиновой поляризацией в тонких пленках мультиферроика феррита висмута при механических, электрических и магнитных воздействиях. Среди современных устройств хранения информации наиболее перспективными являются устройства, основанные на магнитных и электрических свойствах материалов, включающие магнитную запись в магниторезистивных оперативных запоминающих устройствах (Magnetoresistive Random-access Memory (MRAM) и резистивную память с произвольным доступом в мемристивных устройствах (Resistive Random Access Memory (RRAM). В этих устройствах спин и заряд электронов используются раздельно. В данном проекте предлагается создание таких мемристивных структур с возможностью управления зарядовым и магнитными составляющими одновременно. Это, в конечном счете, позволит выполнять быстрые операции с низкими затратами энергии.
В рамках проекта будут разработаны мемристивные устройства с возможностью управления абсолютными значениями напряжения включения-выключения в магнитном поле и намагниченностью в отсутствие магнитного поля на основе структуры Me/BiFeO3/Nt-TiO2/Ti (металл-изолятор-металл). Интерес к ферриту висмута обусловлен проявлением в нем свойств, за счет которых можно переориентировать спиновую поляризацию магнитных моментов. В нем помимо линейных, можно ожидать нелинейные эффекты более высокого порядка, а также переключения электрической поляризации магнитным полем и, наоборот, переключения намагниченности электрическим полем. Это открывает новые возможности для создания широкополосных, высококонтрастных архитектур ТГц-частот, управляемых полностью магнитными полями смещения, и использования магнитного поля для динамической модуляции функциональных степеней свободы в сегнетоэлектрических материалах. Таким образом, создание структуры BiFeO3/AlN позволит связать магнитный отклик ферримагнитного материала с пьезоэлектрической раскачкой резонанса магнитоэлектрического отклика.
В плане разработки технологии для достижения запланированных результатов будет реализован метод атомно-слоевого осаждения, позволяющий получать низкодефектные пленки феррита висмута, с максимальным значением конформности.
Авторы: Рамазанов Ш.М., Гаджимагомедов С.Х., Оруджев Ф.Ф., Палчаев Д.К.



10. Создание высокотемпературных сверхпроводящих материалов.



Рубрикатор


Сотрудничество
Образование
Фотоальбом
Новости
Полезные ссылки


ЦКП "Аналитическая спектроскопия"
НОЦ "Физика плазмы"
Минобразования и науки РФ
ФГУ НИИ РИНКЦЭ
Портал РФФИ
Дагестанский государственный
университет