1. Лаборатория технологии керамических композиционных материалов.В лаборатории занимаются исследованием процессов синтеза керамических материалов, кристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния и твердых растворов на его основе. Многие научные результаты, полученные в лаборатории, используются в учебном процессе в спецкурсах «Физическая химия материалов и процессов электронной техники», «Технология полупроводников и диэлектриков», «Физическая химия композиционных и керамических материалов», «Физики твёрдого тела». Изучаются устройства и работа высокотемпературных вакуумных печей для роста кристаллов, обжиг керамических материалов, познают основы технологии порошковой металлургии, исследуют влияние различных технологических факторов на синтез керамических материалов карбида кремния и твердых растворов на его основе, а также физико-технологические и термодинамические основы синтеза новых керамических и композиционных материалов.
2. Лаборатория физики и технологии полупроводниковых структур.В лаборатории занимаются технологией получения эпитаксиальных слоев и монокристаллов карбида кремния и твердых растворов на основе SiC и других широкозонных полупроводников группы А3В5. В лаборатории впервые были получены полупроводниковые структуры на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x во всем диапазоне изменения составов, о чем имеется патент. Здесь также исследуют различные свойства полученных материалов, такие как электропроводность, тип проводимости, состав полученных материалов и т.д. Разработана низкотемпературная технология получения полупроводникового материала – твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, заключающаяся в магнетронном ионно-плазменном распылении мишени из поликристаллического твердого раствора SiC – AlN, изготовленной путем горячего прессования смеси порошков SiC и AlN.
3. Лаборатория синтеза тонких пленок полупроводниковых материалов.В лаборатории «Синтеза тонких пленок полупроводниковых материалов» занимаются разработкой технологий синтеза и выращиванием тонких пленок различных полупроводниковых материалов в вакууме. Основными методами получения пленок являются методы электронно-лучевого и резистивного испарения материалов. Этими методами здесь получают пленки различных металлов, карбида кремния и твердых растворов на его основе В лаборатории проводится активная работа по разработке новых технологий и методов получения тонких пленок и формирования наноразмерных слоев и структур различных материалов. Основные направления исследований, проводимых в лаборатории, сосредоточены на получении новых материалов и структур широкозонных полупроводников, способных удовлетворить всёвозрастающие требования современной электроники.
4. Лаборатория физики полярных диэлектриков.В лаборатории развивается научное направление по изучению процессов формирования доменной структуры в кристаллических и керамических сегнетоэлектриках в области сильных импульсных электрических полей и высоких температур, включая область фазовых переходов. На занятиях по спецпрактикуму студенты и магистры изучают электрофизические свойства оксидной пьезокерамики, интерес к которой обусловлен тем, что благодаря своим уникальным свойствам они находят широкое применение в современной функциональной электронике. Эти материалы относятся к перспективным в настоящее время наноструктурированным и нанополярным системам, в которых реализуются размытые фазовые переходы – сегнеторелаксорам.
Лаборатория является научно-технологической базой для подготовки инженерных кадров по специальности «Электроника и микроэлектроника», а также подготовки магистров, аспирантов и докторантов кафедры экспериментальной физики.